硅-藍輝石由單晶體耐壓體因素造成的，會會時有發生較慢、疲倦和熱變形表現；藍輝石各有極其好的優質的配置和耐壓性（1000℃以內），對溫度因素發展無常不太銘感，是在高溫高壓壞境下，也各有不錯的操作性；藍輝石的抗電磁輻射性強得；另一，硅-藍輝石半導體設備太銘感部件，無p-n漂移，以至于，可應運于繁多比較復雜壞境公開場合。感測器器由雙膜片造成：鋁錳鋼屬屬估測膜片和鋁錳鋼屬屬收發膜片。刷有異質概念性應力靈敏度電橋電路板板的藍輝石膜片，被熔焊在鋁錳鋼屬屬估測膜片上。被測壓差發送到收發膜片上。在壓差的效用下，鋁錳鋼屬屬收發膜片存在彎曲，該彎曲被硅-藍輝石太銘感部件感受后，其電橋輸入的會會時有發生發展無常，發展無常的力度與被測壓差成比例。電橋電路板板將電橋的貧富分化走勢，轉變成為的電壓走勢輸入的。